验证了温度和湿度对芯片烧结性能的影响，温度环境应力对半导体器件的影响更为突出和复杂，导致器件各种形式的失效，严重影响了武器和设备的可靠性和安全性。本文通过温度循环试验对封装结构的半导体器件封装进行了测试，并对封装结构的退化进行了测试。测试结果表明，该封装具有良好的温度耐受性。对温湿度循环试验箱的要求：
  试验方法和标准

  温度循环按CJB548B法1010.1和C(-65°C~150°C)的要求进行；X射线检测按CJB548B法2012.1的要求进行；粘结张力试验按GJB548B法2011.1的条件D进行；切屑剪切强度按CJB548B法2019.2的要求进行。

  样品结构和试验安排

  选用一种陶瓷封装电路，采用芯片背金烧结工艺和硅铝丝超声楔形焊作为内引线，实验选用100块样品，每组10条电路，共进行1000次温度循环，并选择一组进行切屑切削力、键合张力和X射线检测。

  在试验前，根据产品详细规格的要求对电路进行筛选，消除早期失效电路。在筛选合格电路时，选用烧结空隙率小于15%的100件产品作为试验样品。

  切屑剪切强度结果

  该电路进行了1000次温度循环试验，每100次温度循环试验后进行了键合张力试验。试验电路是从试验电路中随机选取的10个电路，对10条电路的切削力进行了测试，并与试验数据进行了比较，得出了测试后芯片剪切强度的变化规律。表1是试验后的拉伸试验数据统计。

  芯片由烧结材料和外壳固定。芯片与壳胶材料之间的膨胀系数不同，在加热或不符合预期的条件下会发生不同程度的形态变化。在温度循环试验中，将变化的温度应力施加到产品中，使切屑与壳体的粘结材料不断发生形态变化，从而在接触表面之间产生机械应力。当芯片与壳结合材料的膨胀系数非常接近时，产生的机械应力较小，粘接性能下降较慢，反而会导致粘接性能急剧下降。